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激光器件
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铌酸锂（LiNbO3）强度调制器由钛扩散或质子交换工艺制作Mach-Zehnder 型光波导，输入输出光纤与波导精密斜耦合，利用铌酸锂材料的电光效应实现光信号的强度调制。
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1550nm铌酸锂（LiNbO3）高频强度调制器用质子交换或钛扩散工艺制作Mach-Zehnder型光波导输入输出光纤与波导精密斜耦合，利用铌酸锂材料的电光效应实现光信号的强度调制。
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Mini铌酸锂多功能集成光学器件(LiNbO3 MIOC)针对小型化系统的要求，在保证性能指标和可靠性的前提下，器件按最小化设计。器件可以实现起偏/检偏、分束/合束、相位调制等功能。
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铌酸锂多功能集成光学器件(LiNbO3 MIOC)采用微电子工艺在光学级铌酸锂晶片上制作波导和电极，输入输出光纤与波导精密斜耦合，芯片封装在镀金可伐外壳中，器件可以实现起偏/检偏、分束/合束、相位调制等功能。
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GD6883-64015-MD器件为热电制冷型混成式InGaAs短波红外焦平面阵列成像探测器，由CMOS读出电路芯片与InGaAs光电二极管探测器阵列倒装互连而成，面阵规模为640x 512元。
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GD6710Y型双波段光电探测器由InGaAs, Si 光电二极管芯片构成，两个探测器独立工作，可探测400 ~ 1700nm 可见光和近红外两个波段。器件采用TO金属外壳气密封装,具有大光敏面、低噪声、高可靠性等特点，可用于火焰监控、分光计、准直仪器、多光谱测量和激光跟踪等应用领域。
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GD5521Y型系列InGaAs PD/APD光电探测器模块
GD5521Y型系列光电探测器模块主要有PD+TIA. APD+TIA 两个系列产品，其将InGaAs芯片、跨阻放大器( TIA)芯片气密封装形成TO器件后与光纤耦合成尾纤结构。产品广泛应用于光接收机、数据通信、光纤通信系统等领域。
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InGaAs高速探测器系列产品集成内偏置电路，采用DC耦合、SMA/SMP输出接口气密封装结构。在高速光通信、微波光子链路、高速测试测量等系统高可靠应用。
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PIN-L-TO6-SM-9/125-T-F/A-M型InGaAs光电探测器
PIN-L-TO6-SM-9/125-T-F/A-M是一款带光纤接口的InGaAs光电二极管，光接收面为φ60μm,具有高响应度、低电容、低噪声、高工作频率等特点，器件广泛应用于高速光纤通信、CATV、光纤传感、快速光脉冲检测等领域。
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InGaAs APD象限光电探测器为一款近红外光电转换器件，标准光谱响应波长1.0~ 1.7 μm。当目标光信号照射到器件各个象限的辐射通量相等时，其各个象限输出的光电流相等；当入射目标发生偏移，由于象限间辐射通量发生变化引起各象限输出光电流变化，由此可测量出目标方位,从而起到跟踪的作用。
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